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因此在投资单晶生长企业的前期，一定要根据生长设备，配置出合理的热场，从而保生产出来的单晶的品质。在晶体生长分析与设计中，实验与数值是相辅相成的，其过程可以分为两个部分：（1）在阶段,利用引上法晶体生长实验来进行数值模拟参数的调整。（2）在第二阶段,利用数值模拟是用来确定佳的晶体生长工艺参数。

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容易实现自动控制，生产效率高。直拉法易于大直径单晶引进消化吸收国外技术研发环保清洁可再生新能源产品——太阳能光伏发电站和风力发电站的相关设备。也叫切克劳斯基（J.Czochralski）方法。此法早在1917年由切克劳斯基建立的一种晶体生长方法，用直拉法生长单晶的设备和工艺比较简单其中硅单晶生长炉设备有两大系列三个品种是采用直拉法生长P型或N型单晶硅材料的专用设备。装料量从95Kg～150Kg，可拉制6"～12"电路级和太阳能级单晶硅棒。通过与浙江大学大学科技园杭州慧翔电液技术发有限合作，共同发出拥有自主知识产权的ZJS系列TDR80A，TDR80B，TDR8，TDR9型全自动晶体生长炉。单晶生长顺利，而且品质较高，如果热场的温度分布不是很合理，生长单晶的过程中容易产生各种缺陷，影响质量，情况严重的出现变晶现象生长不出来单晶。因此在投资单晶生长企业的前期。